Näytetään tulokset 1 - 10 / 2686
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi

Vacancy-Oxygen Complexes in Silicon

Pesola, M.; von Boehm, J.; Nieminen, R.M.
-1997

Vacancy-Oxygen Complexes in Silicon

Pesola, M.; von Boehm, J.; Nieminen, R.M.
-1997

Irradiation experiment revisited - Stability and positron lifetime of large vacancy clusters in silicon

Vertaisarvioitu
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.363-365.135
Staab, T.E.M.; Puska, M.J.; Hakala, M.; Sieck, A.; Haugk, M.; Frauenheim, Th.; Leipner, H.S.
Materials Science Forum2001

Positron trapping kinetics in thermally generated vacancy donor complexes in highly As-doped silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.75.045210
Kuitunen, Katja; Saarinen, K.; Tuomisto, Filip
Physical Review B2007

Density functional theory calculation of the properties of carbon vacancy defects in silicon carbide

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.npe.2020.11.002
Wang, Xiuhong; Zhao, Junlei; Xu, Zongwei; Djurabekova, Flyura; Rommel, Mathias; Song, Ying; Fang, Fe...
Nami Jishu yu Jingmi Gongcheng = Nanotechnology and Precision Engineering2020

Stability of large vacancy clusters in silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.65.115210
Staab, T.E.M.; Sieck, A.; Haugk, M.; Puska, M.J.; Frauenheim, Th.; Leipner, H.S.
Physical Review B2002

Computational study of interstitial oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon

Vertaisarvioitu
Pesola, M.; von Boehm, J.; Mattila, T.; Nieminen, R.M.
-1999

Carbon vacancy control in p+-n silicon carbide diodes for high voltage bipolar applications

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1361-6463/ac19df
Ayedh, H. M.; Kvamsdal, K. E.; Bobal, V.; Hallén, A.; Ling, F. C.C.; Kuznetsov, A. Yu
Journal of Physics D: Applied Physics2021

Computational study of interstitial oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.60.11449
Pesola, M.; von Boehm, J.; Mattila, T.; Nieminen, R.M.
Physical Review B1999

Substitutional copper and monovacancies in silicon

Vertaisarvioitu
Latham, C.D.; Ganchenkova, M.G.; Nieminen, R.M.; Nicolaysen, S.; Alatalo, M.; Öberg, S.; Briddon, P....
Physica Scripta2006

Vacancy-Oxygen Complexes in Silicon

1997

Vacancy-Oxygen Complexes in Silicon

1997

Irradiation experiment revisited - Stability and positron lifetime of large vacancy clusters in silicon

Vertaisarvioitu
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.363-365.135
2001

Positron trapping kinetics in thermally generated vacancy donor complexes in highly As-doped silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.75.045210
2007

Density functional theory calculation of the properties of carbon vacancy defects in silicon carbide

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.npe.2020.11.002
2020

Stability of large vacancy clusters in silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.65.115210
2002

Computational study of interstitial oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon

Vertaisarvioitu
1999

Carbon vacancy control in p+-n silicon carbide diodes for high voltage bipolar applications

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1361-6463/ac19df
2021

Computational study of interstitial oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.60.11449
1999

Substitutional copper and monovacancies in silicon

Vertaisarvioitu
2006